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Materials
材料銷售
矽碳負極
矽負極材料由第一代研磨矽碳、第二代 SiO 體系，發展至第三代 CVD Si/C。
前兩代材料雖已建立基礎應用，但在膨脹控制、循環壽命與整體性能的表現上仍有限制。
第三代 CVD Si/C 透過調節多孔碳造孔以及Si沈積均勻度，在能量密度、循環穩定性與批次一致性上展現更高潛力。
我們聚焦第三代 CVD Si/C 材料，支援下一代高性能電芯開發。
前兩代材料雖已建立基礎應用，但在膨脹控制、循環壽命與整體性能的表現上仍有限制。
第三代 CVD Si/C 透過調節多孔碳造孔以及Si沈積均勻度，在能量密度、循環穩定性與批次一致性上展現更高潛力。
我們聚焦第三代 CVD Si/C 材料，支援下一代高性能電芯開發。
高容量
可量產克容量 > 2300 mAh/g 的 Si/C 材料，支援高能量密度電芯開發。
高倍率
提供小顆粒 Si/C ，支援高倍率電芯設計。
低膨脹
透過優化孔徑大小分布與矽沉積均勻度，降低材料膨脹與鋰源消耗。